改善背照式CMOS图像传感器的晶圆色差的制造方法

摘要

本发明公开了一种改善背照式CMOS图像传感器的晶圆色差的制造方法的背面工艺中包括步骤：步骤一、完成背面金属屏蔽层的图形化工艺，图形化后的背面金属屏蔽层将像素区打开以及将像素区周侧覆盖；步骤二、按照所需的厚度控制CVD沉积工艺在保证后续不需要采用CMP工艺的条件下形成第一背面介质层。本发明能防止覆盖在背面金属屏蔽层上的第一背面介质层出现蝶形缺陷，同时还能使第一背面介质层的厚度满足要求，最后能消除第一背面介质层形成的晶圆色差。