一种局部化SOI区域制造方法

摘要

本发明提出一种局部化SOI区域制造方法，包括下列步骤：在硅衬底上依次形成第一硅外延层、锗硅外延层、第二硅外延层和顶部硅外延层；对锗硅外延层进行H离子注入形成非晶锗硅层；在上述结构上沉积硬掩膜，进行硅刻蚀直至露出锗硅层，形成环形沟槽；在上述结构上沉积硬掩膜，进行硅刻蚀形成多个浅沟槽；在所述结构外侧刻蚀穿过锗硅层直至露出第一硅外延层后形成停止沟槽；在上述结构上沉积形成氧化硅层和氮化硅层；在上述结构上沉积硬掩膜，刻蚀去除环形沟槽内的氮化硅层直至露出锗硅层；通过环形沟槽刻蚀去除结构内部的所述锗硅层，所述刻蚀停止在所述停止沟槽处，之后进行局部化SOI区域制造的后续工艺。