法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-24
授权
授权
2018-07-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20161227
实质审查的生效
2018-07-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20161227
实质审查的生效
2018-07-03
公开
公开
2018-07-03
公开
公开
2018-07-03
公开
公开
查看全部
机译: 单晶体的生产包括制备衬底,在衬底表面上形成籽晶部分并使籽晶部分与含有饱和化学元素的溶液接触。
机译: 用埋入式绝缘层制造单晶碳化硅衬底的方法及其制造设备,以改善单晶碳化硅薄膜和埋入式绝缘层之间的界面平面化
机译: 单晶碳化硅衬底的表面改性方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,单晶碳化硅衬底和离子注入退火方法,单晶碳化硅半导体衬底