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林世昌; 张燕生; 张国炳; 王阳元;
中国科学院电子学研究所;
北京大学计算机科学技术系;
单晶硅薄膜; 材料改性; 实验; 绝缘; 衬底; 生长;
机译:用于确定半导体薄膜中的生成寿命曲线的新技术及其在绝缘体上硅(SOI)衬底上的应用
机译:用于非冷却式微辐射热计的缓冲SOI衬底上具有高金属-绝缘体转变温度的LSMO薄膜
机译:钇稳定氧化锆缓冲层的绝缘体上硅衬底上生长的YBa_2Cu_3O_(7-delta)薄膜的应变松弛和时效效应研究
机译:在直径150毫米的绝缘体上硅(SOI)衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT中的关态击穿电压得到改善
机译:通过RTCVD在SOI衬底上生长SiC薄膜。
机译:Si(111)衬底上III-V型化合物的二维拓扑绝缘体薄膜的预计生长
机译:磁控溅射在单晶硅(100)上的氩气和氧离子衬底上生长的氧化钽薄膜中极化态的起始
机译:绝缘体/多晶硅衬底上薄单晶硅薄膜的研究
机译:通过利用SOI衬底形成的MIS半导体器件,该SOI衬底具有通过绝缘层在衬底上形成的半导体薄膜
机译:在绝缘膜上具有单晶硅层的SOI衬底的制造方法
机译:在绝缘膜上具有单晶硅层的SOI衬底
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