绝缘体上硅(SOI)衬底上的横向双极结型晶体管(BJT)

摘要

一种双极型晶体管由包括叠置于绝缘层上的半导体层的衬底支撑。晶体管基极由在该半导体层中的以第一掺杂浓度掺杂有第一导电类型掺杂物的基区形成。晶体管发射极和集电极由掺杂有第二导电类型掺杂物并且位于邻近于该基区的相对两侧的区形成。非本征基极包括与该基区的顶表面相接触的外延半导体层。该外延半导体层以大于该第一掺杂浓度的第二掺杂浓度掺杂有该第一导电类型掺杂物。在该非本征基极的每一侧上的侧壁间隔物包括在该外延半导体层的一侧和该基区的顶表面上的氧化物层。