退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN100472001C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-03-25
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社上睦可;
申请/专利号CN200480011173.8
发明设计人 宝来正隆;杉村涉;小野敏昭;田中忠美;
申请日2004-02-25
分类号C30B29/06(20060101);C30B15/20(20060101);H01L27/12(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人孙秀武;王景朝
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:02:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-03-25
授权
2006-07-26
实质审查的生效
2006-05-31
公开
机译: 硅晶片,SOI基板,硅单晶的生长方法,硅晶片的制造方法以及SOI基板的制造方法
机译: 用于外延碳化硅晶片的碳化硅单晶衬底的制造方法和用于外延碳化硅晶片的碳化硅单晶衬底
机译: 硅单晶的生长方法,硅晶片的制造方法以及SOI基质的制造方法。
机译:专门用于HR SOI晶圆制造的新型衬底钝化方法,具有更高的衬底电阻率
机译:在大面积硅晶片衬底上进行金刚石生长的自旋播种方法
机译:通过键合和蚀刻后的SOI(BESOI)或Smart-Cut?在金刚石(SOD)衬底上制造硅。技术
机译:浅沟槽隔离在硅晶片上锗的选择性外延生长:Ge虚拟衬底的一种方法
机译:在SOI衬底上进行0.8微米CMOS制造工艺的开发和表征(法文)。
机译:腔箱SOI:具有预先图案盒的先进硅衬底用于单片MEMS制造
机译:在SOI衬底上制造的金刚石深紫外发光器件
机译:sOI / CmOs(si-On-Insulator / CmOs)电路在siO2涂层si衬底上的区域熔化 - 再结晶si薄膜中制造