...
机译:使用选择性湿法刻蚀Al_(0.7)Ga_(0.3)As牺牲层转移GaAs微尖端
State Key Laboratory for Materials Modification by Laser, Ion, Electron Beams, Department of Physics, The Key Laboratory for Micro/Nano Technology and System of Liaoning Province, Dalian University of Technology, Dalian Liaoning 116024, People's Republic;
scanning electron microscopy; etching; liquid phase epitaxy; selective epitaxy; semiconducting allium arsenide;
机译:在浓盐酸溶液中选择性湿蚀刻Al_(0.7)Ga_(0.3)As层以剥离GaAs微尖端
机译:量子霍尔效应条件下掺Si的Al_(0.3)Ga_(0.7)As层在GaAs / Al_(0.3)Ga_(0.7)As异质结构高频电导中的作用
机译:霍尔和光致发光研究对In_(0.15)Ga_(0.85)As / Al_(0.25)Ga_(0.75)As / GaAs高电子迁移率中心处附加In_(0.3)Ga_(0.7)As层的厚度的影响晶体管
机译:基于GaAs的1.3μm量子点激光二极管,具有3层InAs DWELL(阱中孔)结构和Al_(0.7)Ga_(0.3)As包层
机译:高性能半导体器件的选择性湿法蚀刻和腐蚀工艺的基础研究。
机译:在La0.7Ca0.3MnO3顶部生长的YBa2Cu3O7-x中的Cu自旋之间的选择性层间铁磁耦合
机译:具有皮秒激光脉冲的GaAs / Al_ {0.3} Ga_ {0.7} As量子阱中声子的产生和检测
机译:光谱椭偏法研究区域中心量子限制效应研究单(al)(0.3)Ga(0.7)as / Gaas / al(0.3)Ga(0.7)as,方形量子阱的介电函数