图像传感器、成像系统及图像传感器制造方法

摘要

本申请案涉及一种图像传感器、一种成像系统及一种图像传感器制造方法。图像传感器像素包含安置在半导体材料中的光电二极管及至少部分围绕所述光电二极管的掺杂区。所述掺杂区包含所述半导体材料的掺杂部分。深沟槽隔离结构安置在所述掺杂区中，并且至少部分围绕所述光电二极管。所述深沟槽隔离结构包含安置在所述深沟槽隔离结构的侧壁上的SiGe层、安置在所述SiGe层上的高k电介质以及填充材料。