一种铜互连结构的制作方法、铜互连结构及电子装置

摘要

本发明提供一种铜互连结构的制作方法、铜互连结构及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有沟槽的层间介电层；在所述沟槽侧壁上形成介电阻挡层；在所述介电阻挡层上形成导电阻挡层；在所述沟槽的剩余部分填充金属铜，以形成所述铜互连结构。本发明提出的铜互连结构的制作方法，由于采用介电阻挡层和导电阻挡层两层阻挡层，这样在保证一定阻挡能力，防止铜扩散到介电层中的前提下，又可以适当减小导电阻挡层的厚度，从而使用于互连的铜层的厚度相对增加，进而降低互连电阻，提高器件的电学性能。