铜互连结构及铜互连结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种铜互连结构及铜互连结构的制作方法。所述铜互连结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一层间介质层；贯穿所述第一层间介质层的铜插塞；位于所述第一层间介质层上的第二层间介质层；贯穿所述第二层间介质层的铜互连线；所述第一层间介质层与所述铜互连线之间具有第一保护层，所述第二层间介质层与所述铜互连线之间具有第二保护层。本发明提供的铜互连结构中，铜互连线与第一层间介质层之间包括第一保护层，铜互连线与第二介质层之间包括第二保护层，从而避免了铜互连线与第一层间介质层和第二层间介质层直接接触，防止第一层间介质层和第二层间介质层被铜互连线压裂。