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基于电场能建模技术的VLSI标准单元布局方法

摘要

本发明涉及一种基于电场能建模技术的VLSI标准单元布局方法,该方法通过建立问题的电场能模型,利用全局密度函数及泊松方程的解析解,求解VLSI标准单元全局布局问题。技术方案要点如下:(1)通过将布局问题与静电系统进行类比,将单元比作电荷,将原先的密度约束转化为零势能约束。构建了微分方程,并通过对其求解显式表达式来更为精确的刻画势能约束。再采用罚函数方法将VLSI全局布局的线长目标及势能约束转化为无约束的非线性规划问题并选择合适的优化技术进行优化。(2)与之前使用均匀划分bin的方法得到离散的密度函数值不同,此发明计算单元与整个布局区域重叠约束的全局密度表达式,从而更准确的刻画单元在布局区域上的分布状况。

著录项

  • 公开/公告号CN107526860B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 福州大学;

    申请/专利号CN201710207076.5

  • 发明设计人 朱文兴;黄志鹏;陈建利;

    申请日2017-03-31

  • 分类号

  • 代理机构福州元创专利商标代理有限公司;

  • 代理人蔡学俊

  • 地址 350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区

  • 入库时间 2022-08-23 10:47:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-31

    授权

    授权

  • 2018-01-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20170331

    实质审查的生效

  • 2018-01-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20170331

    实质审查的生效

  • 2017-12-29

    公开

    公开

  • 2017-12-29

    公开

    公开

  • 2017-12-29

    公开

    公开

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