法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-07-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20071212 终止日期:20120516 申请日:20030516
专利权的终止
2007-12-12
授权
授权
2006-01-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-11-30
公开
公开
机译: 用于液晶显示装置的结晶硅层的形成方法,包括通过将激光束照射到半导体层上来形成凹形的对准键,并使用键使半导体层结晶。
机译: 利用激光束使半导体区域结晶化的半导体器件的制造方法
机译: 通过使用穿过衬底的连续波激光束使半导体区域结晶来制造半导体器件的方法