首页> 中国专利> 用于通过激光束使半导体结晶化的方法

用于通过激光束使半导体结晶化的方法

摘要

由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束,其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上,以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。本发明的一种用于使半导体结晶化的方法,包括如下步骤:把由多个激光源所发射的激光束通过一个聚焦光学系统照射到基片上的半导体层上,以使该半导体层熔化和结晶化,其中由多个激光源发射的激光束所形成的多个光点在基片上的半导体层上至少部分地相互重叠。

著录项

  • 公开/公告号CN100355018C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-12-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 夏普株式会社;株式会社日本激光;

    申请/专利号CN200510079088.1

  • 发明设计人 佐佐木伸夫;宇塚达也;大木孝一;

    申请日2003-05-16

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人付建军

  • 地址 日本大阪

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-07-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 授权公告日:20071212 终止日期:20120516 申请日:20030516

    专利权的终止

  • 2007-12-12

    授权

    授权

  • 2006-01-18

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-11-30

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号