差分硅通孔阵列中的噪声抑制方法及其差分信号传输结构

摘要

本发明公开差分硅通孔阵列中的噪声抑制方法及其差分信号传输结构。本发明采用在差分对结构间引入补偿电容的方法，从而达到降低差分信号之间的串扰。差分信号传输结构包括顶层介质层和底层半导体衬底层。顶层介质层内设置有两个MIM电容；第一MIM电容由第一金属上极板、第一MIM电容介质、第一金属下极板构成，第二MIM电容由第二金属上极板、第二MIM电容介质、第二金属下极板构成；底层半导体衬底层内设有五个上下贯通的硅通孔；第一金属柱、第二金属柱组成第一个差分对结构，第三金属柱、第四金属柱组成第二个差分对结构，用于传输差分信号；第五金属柱作为返回路径。