公开/公告号CN100342506C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-10-10
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN200410017771.8
发明设计人 陈军;
申请日2004-04-14
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人陈红
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2022-08-23 08:59:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-01-11
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 变更前: 变更后:
专利申请权、专利权的转移
2007-10-10
授权
授权
2005-12-14
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-10-19
公开
公开
机译: 使用凹入栅电极和高剂量漏极注入在集成电路结构中的MOS器件的沟道区和重掺杂源极/漏极接触区之间形成梯度掺杂轮廓区
机译: 具有浮动非绝缘垫片的双扩散漏极MOS器件
机译: 具有浮动非绝缘隔离层的双扩散漏极MOS器件