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李泽宏; 李肇基; 方健; 杨舰; 龙远东;
电子科技大学微电子研究所;
自对准双扩散MOS器件; 阈值电压; 电荷共事模型; 二维仿真器; 集成电路;
机译:具有非均匀掺杂衬底的沟槽隔离MOS器件的分析阈值电压模型
机译:用于动态阈值电压应用的自对准,电可分离双栅MOS晶体管技术
机译:各种栅极偏置应力条件下SiC MOS器件快速阈值电压漂移的准确评估
机译:考虑流动电场效应的紧凑型模型分析对双栅极(DG)超栅极全耗尽(PD)硅 - 油绝缘体(SOI)NMOS器件的阈值电压的栅极未对准影响
机译:开发了用于多阈值电压应用的n-MOS到p-MOS可调谐单金属栅极/高kappa绝缘体器件的创新制造方法。
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:绝缘体上硅横向双扩散MOS器件基板深度耗尽对瞬态击穿电压的影响分析
机译:用于mOs器件分析的自动C-V和并行Y并行Ω曲线
机译:具有可调阈值电压的垂直双扩散MOS(VDMOS)器件及其制造方法(垂直DMOS器件中的阈值调整)
机译:具有具有变化的开/关阈值电压的双扩散MOS晶体管的半导体器件及其制造方法
机译:自对准双扩散MOS器件
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