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【2h】

Analysis of the Influence of Silicon-on-Insulator Lateral Double-Diffused MOS Device Substrate Deep Depletion on the Transient Breakdown Voltage

机译：绝缘体上硅横向双扩散MOS器件基板深度耗尽对瞬态击穿电压的影响分析

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Xiaoming Yang; Tianqian Li; Taiqiang Cao; Jianhong Li;
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年度 2020
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