具有高性能集成电路多晶硅凝集熔消组件的互补金属氧化物半导体的工艺

摘要

一种互补金属氧化物半导体的工艺，该工艺包括创造具备作为晶体管栅极区域的第一厚度以及作为熔消组件区域的第二厚度的多晶硅层，该第一厚度较该第二厚度为大，其中，在该熔消组件区域中的大部分多晶硅将与金属层起反应，以在快速热退火工艺期间形成聚硅化物。