机译:具有抑制的多晶硅栅极耗尽和超浅结的先进互补金属氧化物半导体器件的新型激光退火工艺
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-280 Higashi-Koigakubo, Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan;
dopant penetration; laser annealing; poly-Si gate depletion; ultra shallow junction;
机译:非熔融激光尖峰退火形成超浅结及其在65 nm节点中互补金属氧化物半导体器件中的应用
机译:湿法栅氧化的4H-碳化硅互补金属氧化物半导体器件的电性能
机译:利用硅上具有高κ和金属栅极的激光晶化通道的两层堆叠式多晶硅薄膜晶体管互补金属氧化物半导体逆变器
机译:激光退火工艺形成的硅器件中超浅结的技术计算机辅助设计
机译:硅的激光束处理:绝缘体上硅材料和器件的激光退火和激光重结晶研究
机译:通过覆盖层的氧化作用进行低温处理的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:脉冲激光退火,用于形成用于纳米级金属氧化物半导体技术的超浅线
机译:III-V半导体量子阱激光器及相关光电器件(Onsilicon)。氧化物定义的半导体量子阱激光器和光电器件:al基III-V天然氧化物