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吸收层变掺杂InGaAs雪崩光电二极管及制备方法

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摘要

本发明公开了一种吸收层变掺杂InGaAs雪崩光电二极管及制备方法，结构包括：N

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1. 吸收层变掺杂InGaAs雪崩光电二极管及制备方法 [P] . 中国专利： CN107611195B . 2019.09.17
2. 吸收层变掺杂InGaAs雪崩光电二极管及制备方法 [P] . 中国专利： CN107611195A . 2018-01-19
3. Metamorphic heterojunction bipolar transistor for high power transistor amplifier has heavily doped n type InGaAs layer which represents ohmic contact for emitter [P] . 德国专利： DE10049148A1 . 2001-04-19

机译：用于高功率晶体管放大器的变质异质结双极晶体管具有重掺杂的n型InGaAs层，代表发射极的欧姆接触
4. MBE of a p-conductive carbon-doped InGaAs layer on an InP substrate [P] . 德国专利： DE19736207A1 . 1999-02-25

机译： InP衬底上的p导电碳掺杂InGaAs层的MBE
5. High power InGaAsP/InP semiconductor laser with low-doped active layer and very low series resistance [P] . 美国专利： US4679199A . 1987-07-07

机译：具有低掺杂有源层和极低串联电阻的高功率InGaAsP / InP半导体激光器