鳍部掺杂方法及鳍式场效应晶体管的制作方法

摘要

一种鳍部掺杂方法及鳍式场效应晶体管的制作方法，对于鳍部掺杂方法，热退火过程中，鳍部之间的半导体衬底表面具有底部扩散阻挡层，可以防止其上的P型离子扩散源中的P型离子、N型离子扩散源中的N型离子扩散入半导体衬底中，因而，同一阱区内或相邻阱区的各鳍式场效应晶体管源区/漏区不会导通，避免了读写过程中出现串扰，提高了鳍式场效应晶体管的性能。此外，由于具有底部扩散阻挡层，P型离子扩散源上的N型离子扩散源中的N型离子无法扩散入衬底，或N型离子扩散源上的P型离子扩散源中的P型离子无法扩散入衬底，因而上层离子扩散源不必去除，节省工序。