使用电化学蚀刻制造半导体器件的方法以及半导体器件

摘要

在第一导电类型的台面之间的半导体衬底中形成沟槽。沟槽从加工表面延伸直至底平面。第二、互补的导电类型的半导体层被形成在沟槽的侧壁上。至少在台面中，垂直于加工表面的垂直的杂质浓度分布在加工表面和底平面之间是非恒定的。在此之后，凹进的半导体层的厚度反映在台面中的垂直杂质浓度分布。