ナノギャップ電極の新作製法を開発簡便な半導体プロセスを利用ナノ電子素子の大量生産に期待

摘要

産業技術総合研究所のナノテクノロジー研究部門（つくばセンター）は、数nm～数十nmのすき間をもつナノギャップ電極の新しい作製法を開発した（ナノギャップ電極は「今号のキーワード」を参照）。 精密なパターニングと金属の傾斜蒸着を2回繰り返す。 簡便な現行の半導体プロセスのみを利用しているのが特徴。将来、ナノサイズの材料から電子素子を直接大量生産するための基盤技術として応用できそうだ。