単層力ーボンナノチューブを用いた半導体デバイス、及びその製法

摘要

p-n接合を用いた2極トランジスターの製造プロセスにおいて、P型の単層カーボンナノチューブの所定の領域が通常の半導体製造プロセスによって露出される。 そしてP型のカーボンナノチューブの露出された部分がドーピングプロセスによってN型の単層カーボンチノチューブとなる。 1つのドーピングタイプを持つ第一単層カーボンナノチューブと、逆のドーピングタイプを持つ第二単層力脚ボンナノチューブからなるP-N-PまたはN-P-N 2極トランジスタが形成される。 逆のタイプの単層カーボンナノチューブは酸素またはアルカリ金属をドープすることによって作られる。 本発明により、デバイスの集積度と操作速度を改善することが出来る。