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永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅存储器

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提供了一永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅(SONSNOS)存储器。该SONSNOS存储器包括堆叠在衬底通道上的第一和第二绝缘层，分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层，插入在第一和第二介电层间的一Ⅳ族半导体层，硅量子点，或金属量子点。该SONSNOS存储器提高了编程速率和存储能力。

著录项

公开/公告号CN1326244C

专利类型发明授权
公开/公告日2007-07-11

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN03108490.7
发明设计人蔡洙杜;金柱亨;金桢雨;蔡熙顺;柳元壹;
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申请日2003-04-14
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波
地址韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 08:59:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2007-07-11

授权

授权
2004-06-30

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-04-21

公开

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专利
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