法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-25
授权
授权
2017-11-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/67 申请日:20170706
实质审查的生效
2017-11-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20170706
实质审查的生效
2017-11-03
公开
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2017-11-03
公开
公开
2017-11-03
公开
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机译: 可以完成铜薄膜选择性气相沉积的铜络合物,其气相沉积方法和薄膜的选择性刻蚀方法
机译: 从半导体衬底上取下转移膜,并通过干法化学刻蚀(最好通过使用指定掺杂的气相刻蚀)进行转移
机译: 制造半导体器件的方法和确定成膜时间,腔室,化学气相沉积装置及其船,刻蚀装置和成膜过程系统的方法