具有中空腔室的半导体封装结构及其下基板及制造过程

摘要

本发明是有关于一种具有中空腔室的半导体封装结构及其下基板及制造过程，该具有中空腔室的半导体封装结构包含下基板、接合层及上基板，该下基板具有下底板及下金属层，该下金属层形成于该下底板的设置区，该下金属层具有至少一个角隅，该角隅具有第一外侧面、第二外侧面及外连接面，该第一外侧面的第一端点延伸形成第一延伸线，该第二外侧面的第二端点延伸形成第二延伸线，该第一延伸线及该第二延伸线相交形成相交点，该相交点、该第一端点及该第二端点形成的区域为该表面的第一显露区，该接合层形成于该下金属层，该上基板连接该接合层，使该上基板及该下基板之间形成中空腔室。本发明提供的技术方案可有效地避免污染并提高接合层表面共面性。