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具有第一和第二字线的多端口SRAM电路

摘要

一种位于静态随机存取存储器SRAM装置中的多端口混合型全摆幅/低摆幅存储器电路包括:第一字线驱动器,所述第一字线驱动器包括读取字线驱动器;第二字线驱动器,所述第二字线驱动器包括读取字线驱动器抑或读取/写入字线驱动器;存储器单元,所述存储器单元耦合到所述第一和第二字线驱动器;读出放大器,所述读出放大器耦合到所述存储器单元;以及锁存器,所述锁存器耦合到所述存储器单元。所述存储器电路能够达成高速低摆幅或低速全摆幅操作,同时避免对于集成电路上的大电路面积的需要。

著录项

  • 公开/公告号CN106716538B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201580049316.2

  • 申请日2015-09-11

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人宋献涛

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:33:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-28

    授权

    授权

  • 2017-06-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C8/16 申请日:20150911

    实质审查的生效

  • 2017-06-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 8/16 申请日:20150911

    实质审查的生效

  • 2017-05-24

    公开

    公开

  • 2017-05-24

    公开

    公开

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