20nmプロセスにおける高密度SRAMのワード線調整アシスト回路システム

藪内誠; 塚本康正; 森本薫夫; 田中美紀; 新居浩二

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20nmプロセスにおける高密度SRAMのワード線調整アシスト回路システム

机译：20nm制程的高密度SRAM字线调整辅助电路系统

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20nmバルクプレーナCMOSプロセスにおいてSRAMのワード線調整アシストシステムを適用することで動作下限電圧を改善したシングルポート·デュアルポートSRAMマクロを開発した．動作下限電圧が0.1V改善し，動作電力は10%削減できた．

机译：我们已经开发了单端口/双端口SRAM宏，通过在20nm体平面CMOS工艺中应用SRAM的字线调整辅助系统来改善操作的下限电压。工作电压的下限提高了0.1V，工作功率降低了10％。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices》 |2015年第6期|共4页
作者
藪内誠; 塚本康正; 森本薫夫; 田中美紀; 新居浩二;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
SRAM; 20nm; アシスト回路; 2電源; ワード線電圧調整;

机译：SRAM;20nm;辅助电路;2个电源;字线电压调节;

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