多芯片封装结构、晶圆级芯片封装结构及其制程

摘要

本发明提供一种多芯片封装结构、晶圆级芯片封装结构及其制程，其中多芯片封装结构，包括第一芯片、至少一阻挡结构、多个第一导电凸块、第二芯片、多个第二导电凸块及底填胶。第一芯片具有芯片接合区、多个位于芯片接合区内的第一内接点以及多个位于芯片接合区外的第一外接点。阻挡结构配置于第一内接点与第一外接点之间，且环绕第一内接点。第一导电凸块配置于第一外接点。第二芯片覆置于芯片接合区且具有多个第二接点。第二导电凸块位于第一内接点与第二接点之间。底填胶位于第一芯片与第二芯片之间以包覆第二导电凸块，以避免影响到第一导电凸块与线路板之间的电性连接品质。