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外延生长用硅晶片及外延晶片及其制造方法

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摘要

本发明涉及外延生长用硅晶片，将通过柴克劳斯基法(CZochralski method-CZ法)掺杂氮，在至少晶片中心成为会发生空隙型缺陷的V区域的区域内培育的硅单晶加以切削，而制作成的硅晶片，其特征是在晶片表面出现的上述空隙型缺陷中，开口部尺寸是20nm以下的缺陷数目是0.02个/cm

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2007-07-11

发明专利说明书更正更正卷:23 号:17 页码:扉页更正项目:发明人误:园川 正:园川 申请日:20030708

发明专利说明书更正
2007-07-11

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2007-07-11

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2007-04-25

授权

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2007-04-25

授权

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2005-11-16

实质审查的生效

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2005-11-16

实质审查的生效

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2005-09-14

公开

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2005-09-14

公开

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