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微机电系统(MEMS)器件的晶圆级气密密封工艺

摘要

本发明实施例提供了具有腔体的微机电系统(MEMS)结构,腔体使用掩模层气密密封。覆盖衬底布置在MEMS衬底上方,覆盖衬底包括可移动元件。覆盖衬底包括布置在可移动元件上方并开口至可移动元件的腔体,并且包括与腔体流体连通的密封开口。掩模层布置在覆盖衬底上方。掩模层突出在密封开口上方并且横向包围布置在密封开口上方的掩模开口。密封层布置在掩模层和掩模开口上方。密封层配置为气密密封腔体。本发明还提供了制造MEMS结构的方法。本发明实施例涉及微机电系统(MEMS)器件的晶圆级气密密封工艺。

著录项

  • 公开/公告号CN106241724B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201610008239.2

  • 发明设计人 曾李全;周仲彦;刘世昌;谢元智;

    申请日2016-01-06

  • 分类号

  • 代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 10:22:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-07

    授权

    授权

  • 2017-01-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81B7/00 申请日:20160106

    实质审查的生效

  • 2017-01-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):B81B 7/00 申请日:20160106

    实质审查的生效

  • 2016-12-21

    公开

    公开

  • 2016-12-21

    公开

    公开

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