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III－V氮化物半导体激光器件

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摘要

一种III-V氮化物半导体激光器件，包括：n侧AlGaN包覆层；n侧波导层；激活层；p侧波导层；和p侧AlGaN包覆层，其中，p侧波导层的折射率比所述n侧波导层的折射率更大。这种III-V氮化物半导体激光器件具有优良的发射特性，而不会增加生产成本。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-11-06

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/323 授权公告日:20070404 终止日期:20120919 申请日:20010919

专利权的终止
2012-10-24

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01S 5/323 变更前: 变更后: 申请日:20010919

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2007-04-04

授权

授权
2002-05-01

公开

公开
2002-02-27

实质审查的生效

实质审查的生效

1. III－V氮化物半导体激光器件 [P] . 中国专利： CN1309128C . 2007.04.04
2. III-V族氮化物系半导体衬底、其制造方法及III-V族氮化物系发光元件 [P] . 中国专利： CN101009350B . 2011.02.02
3. METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE GROUP III-V SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE GROUP III-V SEMICONDUCTOR LASER DEVICE [P] . 日本专利： JP2009267341A . 2009-11-12

机译：制造氮化物III-V族半导体晶体的方法和制造氮化物III-V族激光器件的方法
4. GROWTH OF NITRIDE-BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE FOR GROWTH OF NITRIDE-BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, MANUFACTURE OF THE SUBSTRATE FOR GROWTH OF NITRIDE-BASED III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR [P] . 日本专利： JPH11243253A . 1999-09-07

机译：基于氮化物的III-V复合半导体的生长，半导体装置的制造，基于氮化物的III-V复合半导体的生长的基质，用于基于氮化物的III-V复合半导体的生长的基质的制造
5. GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND LOT OF GROUP III-V NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE [P] . 日本专利： JP2009132613A . 2009-06-18

机译： III-V族氮化物半导体衬底及其制造方法，III-V族氮化物半导体器件和许多III-V族氮化物半导体衬底