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张国义; 李树明;
中国物理学会;
氮化物; 宽禁带半导体; 闪锌矿结构; 禁带宽度;
机译:金属Al 2 O 3-氮化物-氧化物半导体(MANOS)和半导体-氧化物-氮化物-氧化物半导体(SONOS)电荷陷阱闪存的耐久性和偏置温度不稳定性特征的比较研究
机译:半导体光催化剂,用于掺杂剂改性的宽禁带半导体的可见光吸收
机译:宽间隙半导体晶体生长技术-朝着先进的环境和能源社会发展-氮化物半导体的有机金属气相生长
机译:薄膜宽禁带半导体的化学浴沉积技术生长机理
机译:阴极发光研究宽禁带半导体的光学特性
机译:使用基于氮化物的半导体二极管的氢传感器:金属/半导体界面的作用
机译:宽禁带半导体4H-SiC中MOS结构绝缘膜的制作与评估研究
机译:非极性氮化物半导体光电器件:下一代陆军应用的颠覆性技术
机译:具有氮化物半导体衬底和氮化物半导体层的氮化物半导体激光元件,其上层叠有氮化物半导体衬底和氮化物半导体层,该氮化物半导体层具有在膜厚不同的部分的氮化物半导体衬底和氮化物半导体层的高位错密度区域中形成的凹部。
机译:宽禁带半导体带隙电子性能测量方法和宽禁带半导体带隙电子性能测量装置
机译:氮化物半导体衬底,半导体层压材料,用于选择基板的程序,用于输出基板数据的程序,具有用于输出基板数据的程序的氮化物半导体衬底,具有离子坐标图的偏角坐标图,氮化物半导体衬底,用于选择半导体器件的程序,生产氮化物半导体衬底的方法,制造半导体层压材料的方法,制造半导体器件的方法,以及用于...的方法
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