III-V nitride polymorphs; direct band gap; stability; mechanical anisotropy;
机译:宽带隙III-V材料的光化学气相沉积:光化学产生的自由基对氮化铝和氮化镓薄膜生长的影响
机译:III-V氮化物中缺陷和杂质的电子结构.2。立方氮化硼中的BE,MG和SI
机译:立方氮化硼中III-V氮化物-空位的缺陷和杂质的电子结构
机译:氮化硅和硅上的异质III-V光电二极管
机译:III-V族氮化物外延层和氮化铝镓/氮化镓异质结构的传输性质。
机译:Fe / III-V氮化物薄膜中的巨大垂直磁各向异性
机译:晶格匹配III-V的电子能带结构和光学增益 稀释氮化物bismide量子阱为1.55 $ \ mu $ m光通信 系统