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Heterogeneous III-V Photodiodes on Silicon Nitride and Silicon

机译：氮化硅和硅上的异质III-V光电二极管

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The talk reviews progress on high-speed InGaAs/InP photodiodes on silicon-based photonic platforms. Recent results from heterogeneously integrated photodiodes based on adhesive die bonding and direct III-V material growth on Si will be discussed.

机译：演讲回顾了基于硅的光子平台上的高速InGaAs / InP光电二极管的进展。将讨论基于粘合芯片键合和在Si上直接进行III-V材料生长的异质集成光电二极管的最新结果。

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来源
《IEEE Photonics Conference》|2020年|1-2|共2页
会议地点
作者
Andreas Beling; Junyi Gao; Keye Sun; Nan Ye; Qianhuan Yu;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词
Optical waveguides; Silicon; Photodiodes; Silicon nitride; Bandwidth; Microassembly;

机译：光波导;硅;光电二极管;氮化硅;带宽;微装配;

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