法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-26
授权
授权
2017-04-19
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/02 申请日:20161107
实质审查的生效
2017-04-19
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/02 申请日:20161107
实质审查的生效
2017-03-22
公开
公开
2017-03-22
公开
公开
机译: 通过在SiC衬底上外延生长SiC外延膜来制造碳化硅单晶衬底的方法
机译: 包括在单晶衬底上外延生长的包括石墨烯层的器件的制造方法
机译: 一种在单晶上以与其不同的衬底在外延层上生长外延层的方法