6H-SiC单晶衬底上的超薄Pt膜

摘要

采用磁控溅射技术在6H-SiC单晶衬底上厚度为2nm的Pt膜,真空条件下样品经高温退火。采用拉曼、AFM、SEM进行对界面进行表征,结果发现退火过程会使得界面发生化学反应,生成Pt的硅化物和单质碳,样品表面呈现岛状生长形貌。当退火温度升高,碳的石墨化程度加强。由于在硅化物的溶解度很低,部分碳经扩散后分布于样品的最表面。缩短退火时间,对无定形碳转变为晶态石墨的影响不显著。