一种利用常规光刻技术实现深亚微米T型栅的制备方法

摘要

本发明公开了一种利用常规光刻技术实现深亚微米T型栅的制备方法，该方法主要是利用传统步进光刻机，采用涂胶曝光显影步骤，形成图形，并借助PECVD薄膜淀积技术和ICP刻蚀技术，将深亚微米侧壁图形保留，并进行转移，形成栅脚；而后采用传统光刻工艺方法，形成栅帽，制备出深亚微米级的T型栅。通过本发明方法可以有效克服电子束光刻产能低，而步进光刻机传统制备工艺线宽受限，不能加工深亚微米图形的不足与缺点，同时兼顾栅长及产能。