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宋登元; 郭宝增; 王小平;
河北大学电子与信息工程系;
张家口职工大学;
VLSI; 光刻; 深亚微米光刻; 分辨率; 集成电路;
机译:二次效应对使用深X射线光刻技术制造亚微米抗蚀剂结构的影响
机译:通过硬X射线光刻技术生产的深亚微米高长径比聚合物结构
机译:使用深X射线光刻技术制造MEMS的亚微米结构
机译:基于两个光刻的技术,用于制造亚微米到深亚微米结构
机译:分析亚微米和深亚微米技术中加法器和乘法器的基于IP的实现。
机译:用于在聚合物基底上生成微米和亚微米图案的微穿孔光刻技术
机译:深X射线光刻亚微米抗蚀剂结构制备中的二次效应的影响
机译:抗蚀技术与加工XII的进展。亚0.25微米光刻的193纳米硅烷化工艺的优化
机译:不使用亚微米光刻技术的亚微米图案化
机译:利用直接写电子束光刻技术形成的亚微米硅化物结构制造极紫外和深紫外光刻技术的面罩的方法
机译:适用于深亚微米微米IC应用的金属化侧壁钝化技术
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