深亚微米光刻工艺中套刻优化方法的应用研究

摘要

光刻工艺作为半导体制造技术的核心工艺，是整个IC制造技术向前发展的驱动力。随着IC产业进入22nm时代，不断缩小的工艺尺寸对光刻套刻性能提出了非常高的要求。对于一些产品的关键工艺层，2-3nm的套刻偏差，将导致芯片性能直接下降甚至失效。因此，优化光刻套刻性能，是研究光刻工艺的重要课题之一。
　　本文从套刻工艺的原理及应用入手，结合实际的工艺测试数据，阐明了套刻工艺对产品良率的影响，同时也体现了套刻优化需求的迫切性。然后，通过鱼骨分析的方法，逐一分析了影响光刻套刻的各种因素，获得了提升套刻精度和稳定性的两个主要方法，即控制设备套刻稳定性以及改善套刻补偿的方式。最后，论文分别对套刻标准栅格图法及套刻基准控制法，进行了实践应用评估。两种优化方法在应用实践中，均体现了较好的优化效果，套刻性能优化均超过10％。
　　通过对深亚微米光刻工艺的探索研究，找到了光刻套刻性能的优化方法，并在实践运用中，取得了预想的成果，为光刻工艺未来的发展提供了经验积累。

目录

摘要

引言

第一章 套刻工艺简介

1．1 第一节 光刻工艺发展概述

1．2 第二节 套刻工艺简单原理

第二章 套刻工艺的应用

2．1 第一节 套刻工艺在产品中的应用

2．2 第二节 工艺产品的套刻需求

2．3 第三节 套刻精度与产品良率的关系

第三章 套刻的影响因素分析

3．1 第一节 鱼骨图分析

3．2 第二节 套刻改善空间分析

第四章 光刻套刻优化方法的实践应用评估

4．1 第一节 套刻标准栅格图法

4．2 第二节 套刻基准控制方法

第五章 结论与展望

参考文献

致谢

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