用于CMOS传感器的栅控电荷调制器件

摘要

本发明公开了一种用于感测光的器件，包括掺杂有第一类型掺杂剂的第一半导体区域以及掺杂有第二类型掺杂剂的第二半导体区域。所述第二半导体区域位于所述第一半导体区域的上方。所述器件包括栅极绝缘层、栅极、源极和漏极。所述第二半导体区域具有朝向所述栅极绝缘层的顶表面以及与所述第二半导体区域的顶表面相对的底表面。所述第二半导体区域具有包括所述第二半导体区域的顶表面的上部，以及所述第二半导体区域具有下部，所述下部包括所述第二半导体区域的底表面并且与所述上部互相排斥。所述第一半导体区域与所述第二半导体区域的上部和下部都接触。