应用于超薄栅氧化CMOS器件的两种电荷泵改进技术的比较(英文)

摘要

本文提出了High-lowmulti-frequency(HLMF)和Average bottom-top-pulse(ABTP)两种电荷泵改进技术,用于提高表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷的精度。结果表明,在电荷泵技术测量过程中,这两种改进技术能非常有效地扣除漏电流。同时,也分析了电荷泵电流曲线的几个典型特性。由于ABTP技术是用静态模式测量漏电流,所以,在大的负Vbase端,电荷泵电流曲线的尾部出现大的波动。通过比较,我们发现HLMF具有更高的精度,可以作为用于提升表征超薄栅氧化CMOS器件界面缺陷精度的一种重要技术。