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鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种鳍式场效应晶体管鳍的制造方法,包括:提供衬底,衬底中形成有相互隔离的鳍;进行鳍外延前的前烘,以去除鳍上的自然氧化层,并在前烘的腔室中对鳍进行回流;在鳍上生长外延层。本发明中,回流后使得鳍的高度降低,沟道区原有的掺杂残留会下移至鳍的下部,重新生长的外延层作为部分或新的沟道,具有更好的器件特性。

著录项

  • 公开/公告号CN105702579B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201410681972.1

  • 发明设计人 秦长亮;殷华湘;李俊峰;赵超;

    申请日2014-11-24

  • 分类号

  • 代理机构北京维澳专利代理有限公司;

  • 代理人党丽

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 10:17:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-11

    授权

    授权

  • 2016-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20141124

    实质审查的生效

  • 2016-07-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20141124

    实质审查的生效

  • 2016-06-22

    公开

    公开

  • 2016-06-22

    公开

    公开

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