机译:IN0.53GA0.47AS薄膜的低损伤图案,其作为鳍金属氧化物半导体场效应晶体管架构的N沟道
机译:用Al2O3 / HFO2对低功率逻辑应用的IN0.53GA0.47AS三栅极金属氧化物 - 半导体 - 效应 - 晶体管对IN0.53GA0.47AS三栅极金属氧化物 - 半导体 - 效应晶体管的影响
机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:低压互补金属氧化物半导体电路设计在正向偏置条件下的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管建模
机译:用于N沟道镓砷化物金属氧化物 - 半导体场效应晶体管的原位表面钝化和金属栅/高k电介质叠层形成
机译:用于高性能薄膜晶体管的非晶态金属氧化物半导体的低温溶液处理。
机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
机译:用Al2O3 / HFO2对IN0.53GA0.47AS三栅极金属氧化物 - 半导体 - 效应 - 晶体管对低功率逻辑应用的影响等效氧化物厚度和翅片宽度缩放的影响
机译:在siO2上区域熔化 - 再结晶多晶硅薄膜制备的N沟道深度耗尽金属氧化物半导体场效应晶体管