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公开/公告号CN104319237B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-22
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN201410535650.6
发明设计人 麻芃;金智;史敬元;王少青;张大勇;王选芸;
申请日2014-10-11
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2022-08-23 10:11:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-22
授权
2015-02-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/285 申请日:20141011
实质审查的生效
2015-01-28
公开
机译: TFT硅膜中金属诱导自对准结晶的半导体器件,顶栅型TFT和顶栅型TFT的制造方法
机译: 具有自对准栅至器件隔离的场效应晶体管的制造工艺
机译: 具有对准的栅电极侧壁的分离栅场效应晶体管器件
机译:石墨烯的低温合成和不使用转移工艺的顶栅场效应晶体管的制备
机译:光刻工艺制备顶栅ZnO纳米线场效应晶体管的技术
机译:顶栅和后栅石墨烯场效应晶体管的紧凑型虚拟源电流电压模型
机译:具有超薄顶栅电介质的栅电容缩放和石墨烯场效应晶体管
机译:使用非自对准栅工艺的替代栅叠层的制造和器件表征。
机译:自对准栅AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的氮化钛的合成
机译:在高温下工作的顶栅石墨烯场效应晶体管的狄拉克点和跨导。
机译:石墨烯电子结构系统控制的新途径及石墨烯场效应晶体管的制备。