用于硅基光子集成电路的具有凹角镜的低电压雪崩光电二极管

摘要

一种低电压APD布置在PIC芯片的硅器件层内横向地延伸的波导的端部。APD布置在共同定位于波导端部处的反转凹角镜上方，以通过来自波导的内反射将光耦合到APD的底侧。在示例性实施例中，通过结晶蚀刻，在硅器件层中形成45°‑55°的面。在实施例中，APD包括硅倍增层、在所述倍增层上方的锗吸收层，以及布置在吸收层上方的多个欧姆触点。上覆的光反射金属膜将多个欧姆触点互连，并且将在欧姆触点周围传输的光返回到吸收层，以用于更大的检测器响应率。