由于重晶格具有提高的ESD电阻的基于GAN的光电子器件及其制造方法

摘要

光电子器件（10）包括半导体层结构（100），所述半导体层结构具有作为有源层（140）的量子薄膜结构和p型掺杂层（160），所述p型掺杂层被布置在量子薄膜结构（140）之上。所述p型掺杂层（160）包括至少一个第一子层（161）和第二子层（162）。所述第二子层（162）具有高于第一子层（161）的掺杂度（323）。