光电子半导体器件、用于制造光电子半导体器件的方法以及具有光电子半导体器件的光源

摘要

提出一种光电子半导体器件(9)，所述光电子半导体器件包括：‑具有至少一个发光二极管芯片(11)和覆盖面(1a)的发光二极管构件(1)，所述覆盖面沿放射方向(Z)设置在发光二极管芯片(11)的下游；‑转换元件(2)，所述转换元件沿放射方向(Z)设置在发光二极管构件(1)的下游；‑框架体(3)；和‑覆盖体(4)，所述覆盖体由透射辐射的材料形成，其中‑框架体(3)框架状地包围转换元件(2)的全部侧面(2c)；‑覆盖体(4)沿放射方向(Z)设置在转换元件(2)的下游，并且在其背离发光二极管芯片(11)的覆盖面(2a)上遮盖转换元件(2)。