公开/公告号CN106041706B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 华侨大学;福建晶安光电有限公司;
申请/专利号CN201610573206.2
申请日2016-07-20
分类号B24B29/02(20060101);B24B27/00(20060101);B24B41/06(20120101);B24B41/00(20060101);B24B37/04(20120101);B24B37/27(20120101);B24B37/34(20120101);
代理机构35204 厦门市首创君合专利事务所有限公司;
代理人杨依展
地址 362000 福建省泉州市丰泽区城东
入库时间 2022-08-23 10:08:31
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-23
授权
授权
2016-11-23
实质审查的生效 IPC(主分类):B24B29/02 申请日:20160720
实质审查的生效
2016-10-26
公开
公开
机译: 蓝宝石晶片的单面抛光方法及蓝宝石晶片的生产方法
机译: 半导体晶片的再抛光方法,例如存储元件,涉及当抛光的半导体晶片在晶片的再抛光期间表现出凹/凸厚度轮廓时,影响凹/凸腐蚀轮廓
机译: 碳化硅,蓝宝石,锗,硅和晶片晶片抛光模板座