两性离子表面活性剂对A向蓝宝石晶片化学机械抛光的影响

摘要

采用胶体二氧化硅作为磨粒,研究了两性离子表面活性剂月桂酰胺基烷基甘氨酸(NL)在抛光液pH值为6～12时对A向蓝宝石晶片化学机械抛光(CMP)抛光效果的影响.结果表明,在抛光液pH6～pH10时,两性离子表面活性剂对蓝宝石晶片的材料去除有抑制作用;在pH11～pH12时可促进蓝宝石晶片的材料去除;当抛光液pH值为12时,材料去除率达最大值2 202 nm/h,抛光表面的表面粗糙度为0.807 nm.通过测量抛光液的磨粒表面Zeta电位和粒径分布以及观察磨粒在晶片表面的吸附行为,分析了其抛光机理.两性离子表面活性剂改变了A向蓝宝石晶片抛光过程中磨粒与晶片表面间的静电相互作用力,进而对抛光效果产生了较大的影响.